হুয়াওয়ে চিপ ডেভেলপমেন্টে সাহায্য করার জন্য ইন্ডাস্ট্রির শক ওয়েভ, লেজার ম্যানুফ্যাকচারিং বন্ধ করে দিয়েছে

29শে আগস্ট, Huawei একটি ভারী বোমা নিক্ষেপ করেছে - Huawei MATE 60 pro, বিক্রি শেষ হওয়ার এক ঘণ্টারও কম সময়ের মধ্যে। কেন বিক্রয়ের উপর এই নতুন মডেল শিল্প শক তরঙ্গ সেট বন্ধ, প্রধানত কারণ যখন পশ্চিম ঘাড় দ্বারা চীন এর উচ্চ প্রক্রিয়া চিপ, সরাসরি Huawei কর্মক্ষমতা "শক" যাক, এবং এই কর্মের মানে হতে পারে যে Huawei সমস্যা সমাধান করেছে. উচ্চ-প্রক্রিয়া চিপস সম্পর্কে কথা বলা, EUV লিথোগ্রাফির নায়ক হিসাবে উপস্থিত হতে হয়েছিল। নেদারল্যান্ডস Asmay এর EUV লিথোগ্রাফি বর্তমানে সবচেয়ে উন্নত, যা 5nm হাই-এন্ড চিপ তৈরি করতে পারে, যখন চীনের সম্পূর্ণ স্বাধীন লিথোগ্রাফি শুধুমাত্র 90nm প্রক্রিয়ার দীর্ঘশ্বাস ফেলে, পার্থক্যটি অর্ধেক তারারও বেশি হতে পারে। ইইউভি লিথোগ্রাফির মূল সরঞ্জামগুলির মধ্যে একটি হল লেজার, এবং জার্মানির ট্রাফিগুরা আসম্যাকের এই মূল উপাদানটির একমাত্র সরবরাহকারী। লেজার এত গুরুত্বপূর্ণ কেন? কারণ EUV লিথোগ্রাফি আলোর উৎস হিসেবে 10-14nm তরঙ্গদৈর্ঘ্যের অতিবেগুনী আলো ব্যবহার করে। এখানে আমাদের বুঝতে হবে পুরো EUV লিথোগ্রাফি মেশিনে লেজার কী ভূমিকা পালন করে।
EUV লিথোগ্রাফির ভূমিকার প্রাথমিক পর্যায়ে, প্রথম জেনারেটর ভ্যাকুয়াম চেম্বারে টিনের ড্রপগুলি তৈরি করবে, এই সময়ে দ্রুত স্পন্দিত উচ্চ-শক্তি লেজার থেকে লেজার রশ্মির গড় 30kW গড় পালস পাওয়ার আউটপুট হবে, শিখর পালস পাওয়ার এমনকি কয়েক মেগাওয়াট পর্যন্ত পৌঁছতে পারে, যাতে টিনের ড্রপের দিক থেকে প্রতি সেকেন্ডে 50,000 বার আঘাত করতে পারে। টিনের পরমাণুগুলি আয়নিত হয়, একটি উচ্চ-তীব্রতার প্লাজমা তৈরি করে যা সমস্ত দিক থেকে 13.5 এনএম তরঙ্গদৈর্ঘ্যে EUV বিকিরণ নির্গত করে। এটি EUV লিথোগ্রাফির খুব সারাংশ, এর "উৎস"। যে প্রক্রিয়ায় প্রারম্ভিক আলোর উৎস টিনের তরলকে আঘাত করে তা আসলে দুটি ধাপে বিভক্ত, যার মধ্যে দুটি মূল স্পন্দন জড়িত, যাকে আমরা বলি প্রাক-পালস এবং প্রধান পালস। তথাকথিত প্রাক-পালস, নাম অনুসারে, তরল টিনের উপর প্রথম কাজ করে, প্রধানত পরবর্তী ধাপের জন্য এটিকে পছন্দসই আকারে আকৃতি দেয়। এবং তারপরে প্রধান পালস এটিতে সরাসরি কাজ করে, যা এটিকে প্লাজমাতে রূপান্তর করে। এটি লেজার দ্বারা নির্গত রশ্মির উপর অত্যন্ত চাহিদাপূর্ণ, যার সঠিক অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য থাকতে হবে তা নিশ্চিত করার জন্য যে টিনের তরল প্লাজমা তৈরি করতে সঠিকভাবে চিকিত্সা করা যেতে পারে এবং তাই EUV বিকিরণ। তাহলে কি উচ্চ শক্তির লেজারগুলিতে EUV বিকিরণ তৈরির জন্য আরও উন্নতি হবে, নাকি উচ্চ ক্ষমতার লেজারগুলি অন্যান্য প্রযুক্তি বাদ দিতে পারে এবং ভবিষ্যতের লিথোগ্রাফির সামগ্রিক প্রযুক্তিগত প্রয়োজনীয়তাগুলিকে আরও সংক্ষিপ্ত করে তুলতে পারে? প্রকৃতপক্ষে, প্রাথমিক চীনা বিজ্ঞানীরা গবেষণার সাথে সম্পর্কিত।
2021 সালে, সিংহুয়া বিশ্ববিদ্যালয়ের প্রকৌশল পদার্থবিদ্যার অধ্যাপক তাং চুয়ানজিয়াং-এর গবেষণা দল এবং জার্মান গবেষণা দল পরীক্ষার নীতি যাচাই করার জন্য "স্থির-স্টেট মাইক্রো-বিম" (SSMB) নামে একটি নতুন কণা গ্যাস প্যাডেল আলোর উৎস সম্পন্ন করেছে। এটি রিপোর্ট করা হয়েছে যে বার্লিন এমএলএস স্টোরেজ রিংয়ে ইলেক্ট্রন রশ্মিকে ম্যানিপুলেট করার জন্য 1064 ন্যানোমিটার লেজার তরঙ্গদৈর্ঘ্যের প্রধান ব্যবহার, যাতে এটি রিংয়ের চারপাশে একটি পূর্ণ বৃত্ত (48 মিটার পরিধি), যাতে একটি সূক্ষ্ম মাইক্রো-পলিমার গঠন করা যায়। মরীচি মাইক্রোক্লাস্টার বিমগুলি লেজার তরঙ্গদৈর্ঘ্য এবং এর উচ্চ হারমোনিক্সে উচ্চ-তীব্রতা সংকীর্ণ-ব্যান্ডউইথের সুসঙ্গত আলো বিকিরণ করে এবং পরীক্ষাগুলি বিকিরণ পরীক্ষা করে মাইক্রোক্লাস্টার বিমের গঠন যাচাই করে, এইভাবে প্রমাণ করে যে ইলেক্ট্রনের অপটিক্যাল পর্যায়গুলি বৃত্তের সাথে সম্পর্কযুক্ত হতে পারে- লেজারের তরঙ্গদৈর্ঘ্যের চেয়ে ছোট একটি নির্ভুলতা সহ বাই-সার্কেল, যা লেজার দ্বারা গঠিত অপটিক্যাল সম্ভাব্য কূপের মধ্যে ইলেক্ট্রনগুলিকে স্থিরভাবে আটকে রাখতে দেয় এবং এইভাবে SSMB-এর অপারেশন প্রক্রিয়া যাচাই করে। এটি আরও বোঝায় যে ভবিষ্যতে SSMB-ভিত্তিক EUV আলোর উত্সগুলি বৃহত্তর গড় শক্তি এবং সম্ভাব্য ছোট তরঙ্গদৈর্ঘ্য অর্জন করবে বলে আশা করা হচ্ছে, যা ভবিষ্যতে EUV লিথোগ্রাফির আপগ্রেডিং এবং প্রয়োগ সম্প্রসারণের উপর দুর্দান্ত প্রভাব ফেলবে।
EUV লিথোগ্রাফির বিকাশের জন্য অন্বেষণ এবং জমা করা দরকার, এবং নতুন প্রযুক্তিগুলি EUV লিথোগ্রাফির চিপ প্রক্রিয়াকে উন্নত করতে, এর শক্তি খরচ কমাতে এবং এর সীমা ভেঙ্গে যাওয়ার আগে এটি কেবল সময়ের ব্যাপার হওয়া উচিত। সম্ভবত ভবিষ্যত ইইউভি লিথোগ্রাফির পুনরাবৃত্তি নয়, এটি প্রতিস্থাপনের জন্য নতুন প্রযুক্তির জন্ম। লেজারের শক্তি অফুরন্ত, এবং আমি বিশ্বাস করি আবিষ্কৃত হওয়ার অপেক্ষায় আরও অনেক সম্ভাবনা রয়েছে।