সম্প্রতি, হাই পাওয়ার লেজার ফিজিক্সের জয়েন্ট ল্যাবরেটরি, সাংহাই ইনস্টিটিউট অফ অপটিক্যাল প্রিসিশন অ্যান্ড মেকানিক্যাল রিসার্চ, চাইনিজ একাডেমি অফ সায়েন্সেস (এসআইপিএমআর) এবং সাংহাই ইনস্টিটিউট অফ সিলিকেট টেকনোলজির সহযোগী গবেষক জিয়াওনিউ তু-এর একটি যৌথ গবেষণা দল। চাইনিজ একাডেমি অফ সায়েন্সেস (SISTR), XOPA (Cross-Farper Intra-cavity Optical Parametric Amplification) এর জন্য একটি নতুন কনফিগারেশন প্রস্তাব করেছে, যা SG-II 5PW লেজার ডিভাইসের সামনের প্রান্তের উপর ভিত্তি করে একটি পরীক্ষামূলক প্রদর্শনী দ্বারা প্রদর্শিত হয়েছে। ফলাফলগুলি লেজার ফটোনিক্স রিভিউতে "অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অ্যামপ্লিফিকেশন ইন ক্রসড ফেব্রি-পেরট ক্যাভিটিস" শিরোনামে প্রকাশিত হয়েছিল।
অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অ্যামপ্লিফিকেশন (OPA) এবং চির্পড পালস অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অ্যামপ্লিফিকেশন (OPCPA) হল উচ্চ শক্তির লেজার সিস্টেমের জন্য সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ প্রযুক্তি রুট এবং ভবিষ্যতে দশ থেকে শত শত মেগাওয়াট লেজার সিস্টেমের জন্য মূলধারার প্রযুক্তি রুট। এই ক্ষেত্রের বিকাশ দক্ষতা, শক্তি, ব্যান্ডউইথ, লাভ, মরীচির গুণমান, সংকেত-থেকে-শব্দ অনুপাত এবং আকার দেওয়ার ক্ষমতার ক্ষেত্রে লেজার পরিবর্ধন প্রযুক্তির উপর ব্যাপক প্রয়োজনীয়তা রাখে।

চিত্র 1 XOPA কনফিগারেশনের স্কিম্যাটিক ডায়াগ্রাম
গবেষণা দল অরৈখিক স্ফটিকটিকে ক্রস-ফারপার গহ্বরের ভিতরে রাখে, মাল্টি-পাস ট্রান্সমিশন এবং শক্তি রূপান্তর উপলব্ধি করতে সিগন্যাল আলো এবং পাম্প আলোকে সীমাবদ্ধ করে, পর্যায়ক্রমে নিষ্ক্রিয় আলোকে দূর করে এবং মিশ্রিত তিন-তরঙ্গ শক্তি রিফ্লাক্সকে দমন করে, যাতে পাম্প আলোতে সংকেত আলোর শক্তির একঘেয়ে নিষ্কাশন উপলব্ধি করতে। সাংহাই ইনস্টিটিউট অফ সিলিকেট রিসার্চ দ্বারা প্রদত্ত YCOB ক্রিস্টাল পরীক্ষামূলকভাবে ব্যবহার করে, 800nm ব্যান্ড সিগন্যাল লাইট পাম্প করার জন্য 56.28% এর আলো রূপান্তর দক্ষতা, 120nm আউটপুট ক্ষমতার বর্ণালী প্রস্থ; উপরন্তু, গবেষকরা ডাবল ফ্যাপার গহ্বরের অসম গহ্বরের দৈর্ঘ্য ডিজাইন করেছেন, উচ্চ-কনট্রাস্ট পরিবর্ধন এবং আকার দেওয়ার জন্য স্পন্দিত স্পন্দিত সংকেত আলো অর্জন করতে। এই সমীক্ষাটি দেখায় যে XOPA কনফিগারেশনের উচ্চ রূপান্তর দক্ষতার ভিত্তিতে সময়, স্থান এবং ফ্রিকোয়েন্সি ডোমেনগুলিকে আকার দেওয়ার ক্ষমতা রয়েছে এবং এটি সর্বজনীনভাবে সমস্ত ব্যান্ড এবং ননকোলিনিয়ার অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক পরিবর্ধনের জন্য সমস্ত অরৈখিক স্ফটিকের জন্য প্রযোজ্য, যা অত্যন্ত তাৎপর্যপূর্ণ উচ্চ-শক্তি লেজার সিস্টেমের ব্যাপক কর্মক্ষমতা উন্নত.


চিত্র 2 তাত্ত্বিক সিমুলেশন এবং পরীক্ষামূলক ফলাফল (a) বর্ণালী বিবর্তন এবং (b) XOP-এর 7- পাস পরিবর্ধন প্রক্রিয়ার রূপান্তর দক্ষতা





