Recently, the national key research and development project team led by Prof. Ruan Shuangchen of Shenzhen University of Technology (SZUT), under the support of the project of "Crystal Thin-Film Processing and Preparation of New Generation of Gain Devices" of the National Key Research and Development Program of the Ministry of Science and Technology (MOST), has made important progress in research on the key scientific issues of crystal thin-film processing and preparation of new generation of gain devices. We are the first one in China to realize the crystal packaging of Yb:YAG wafer with diameter >20mm, এবং কিলোওয়াট শ্রেণীর 48-স্ট্রোক পাম্পিং সিস্টেম ডিজাইন করুন।
উচ্চ-শক্তির আল্ট্রাফাস্ট লেজারগুলি উন্নত উত্পাদন, তথ্য, মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স, চিকিৎসা, শক্তি, সামরিক এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয় এবং জাতীয় কৌশলগত উন্নয়নের প্রচারের জন্য সম্পর্কিত বৈজ্ঞানিক ও প্রযুক্তিগত প্রয়োগ গবেষণা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। লেজার গেইন ডিভাইস হল হাই পাওয়ার আল্ট্রাফাস্ট লেজারের মূল মৌলিক উপাদান, যা বিশ্বের সব দেশই অত্যন্ত উদ্বিগ্ন। চমৎকার মরীচি গুণমান এবং অপটিক্যাল থেকে অপটিক্যাল রূপান্তর দক্ষতার উচ্চ দক্ষতা সহ পাতলা-ফিল্ম লেজারগুলি শিল্প উত্পাদন এবং মৌলিক বৈজ্ঞানিক গবেষণার মতো অনেক ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়েছে। যাইহোক, থিন-ফিল্ম ক্রিস্টালের নির্ভুল প্রক্রিয়াকরণ, হিট সিঙ্ক সিস্টেমের ডিজাইন এবং প্যাকেজিং এবং গেইন ডিভাইসের প্রস্তুতির মতো মূল মূল প্রযুক্তির অভাব চীনে উচ্চ-শক্তির পাতলা-ফিল্ম লেজারগুলির আরও বিকাশকে গুরুতরভাবে সীমিত করেছে।
Relying on the Key Laboratory of Advanced Optical Precision Manufacturing Technology for Guangdong Universities, Shenzhen Key Laboratory of Laser Engineering, Sino-German Institute of Intelligent Manufacturing, and College of Engineering Physics, Shenzhen University of Technology has been carrying out the research on thin-flake laser technology since 2021, and adopted the self-developed thin-flake crystals with a diameter of 12 mm and regenerative amplification technology at the beginning of 2022 to realize the high power regenerative amplification of the resonance cavity through the chromatic dispersion compensation and the nonlinear effect control, the laser output with single pulse energy >500μJ, পালস প্রস্থ<7.5ps, and average power >200W উপলব্ধি করা হয়েছে, বিশেষ করে মরীচি মানের M2 এর চমৎকার কর্মক্ষমতা<1.1 and optical-to-optical conversion efficiency >50%, যা গহ্বরের বাইরে অত্যন্ত দক্ষ ননলিনিয়ার ফ্রিকোয়েন্সি রূপান্তরের জন্য একটি শক্ত ভিত্তি স্থাপন করে।
The project team adopted wavelength-locked 969nm "zero-phonon line" pumping to achieve the highest continuous output power >1300W, প্রায় 80% এর সর্বাধিক অপটিক্যাল থেকে অপটিক্যাল রূপান্তর দক্ষতা সহ, যার চমৎকার কর্মক্ষমতা কিলোওয়াট-শ্রেণির গড় শক্তি এবং 100 mJ এর আল্ট্রাফাস্ট পাতলা-ফিল্ম লেজারের গবেষণার জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ ভিত্তি স্থাপন করে।
▲ (বাম) 1000W@969nm পাম্প (ডান) 2000W@969nm পাম্প
বিজ্ঞান ও প্রযুক্তি মন্ত্রকের মূল গবেষণা ও উন্নয়ন প্রকল্পগুলির মাধ্যমে, প্রকল্প দলটি জাতীয় শিল্প সুরক্ষা এবং প্রধান প্রকৌশল নির্মাণের প্রয়োজনীয়তা, উচ্চ-ক্ষমতার লেজার সামগ্রীতে অগ্রগতি এবং মূল প্রযুক্তির ডিভাইসের প্রয়োগ, উদ্ভাবন চেইন, ব্রেকথ্রুগুলির মাধ্যমে। কৌশলগত উচ্চ-শক্তি লেজার স্ফটিক প্রস্তুতি এবং চীনের তথ্য, শক্তি, পরিবহন, উচ্চ-শেষের সরঞ্জাম এবং মূল লেজার ক্রিস্টাল উপকরণ এবং স্বাধীন নিয়ন্ত্রণ ক্ষমতার ডিভাইসের অন্যান্য ক্ষেত্র উন্নত করার জন্য সকল দিকগুলিতে সাধারণ কী প্রযুক্তির প্রয়োগ। এটি চীনে তথ্য, শক্তি, পরিবহন এবং উচ্চ-সম্পদ সরঞ্জামের ক্ষেত্রে কোর লেজার ক্রিস্টাল উপকরণ এবং ডিভাইসগুলির স্বাধীন নিয়ন্ত্রণের ক্ষমতা উন্নত করবে এবং নতুন শক্তি, 3C ইলেকট্রনিক্স, উচ্চ-প্রান্তের উত্পাদন এবং অন্যান্য উচ্চতার উন্নয়নে কাজ করবে। -প্রযুক্তি শিল্প।
